21.01.2010 Разработка конструкции и технологии изготовления сверхмощных светоизлучающих кристаллов на основе инверсных GaN-гетероструктур
Переход от лампы накаливания к светодиодам считается основным средством снижения затрат электроэнергии на освещение. Кроме того, благодаря большому ресурсу работы, который исчисляется тысячами часов, светодиодные источники света позволяют снизить затраты труда на обслуживание светильников, расположенных в труднодоступных местах. Использование светодиодов в автономных светильниках существенно увеличивает время их работы без смены источников тока.
Специалисты ЗАО «ЭПИЦЕНТР» разработали технологии получения нового материала для изготовления ярких светодиодов белого и синего света, причем найденное решение обладает патентной чистотой, что позволяет выходить с продукцией на внутренний и внешний рынки. Эти технологии связаны с получением светоизлучающих инверсных GaN-гетероструктур и светоизлучающих кристаллов на основе таких гетероструктур. Обе технологии необходимы для изготовления ярких светодиодов синего и белого света.
Опытные партии созданных на основе разработанных технологий светодиодов успешно прошли проверочные испытания и продемонстрировали большую эффективность преобразования электричества в свет — 40%.
В настоящее время подготовлены производственные мощности для постановки на производство разработанных технологий. Готовятся лицензионные договора о передаче лицензий на производство продукции с использованием разработанных технологий. Основные идеи и технологические приемы, реализованные при выполнении данной работы, могут быть использованы при дальнейшей разработке технологий изготовления светоизлучающих гетероструктур и кристаллов других важных спектральных диапазонов излучения: зеленого (500-560 нм), ближнего (350-380 нм) и дальнего (280-350 нм) ультрафиолетового диапазонов.
Работа выполнена при поддержке Роснауки (в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 — 2012 годы»)
Сергей Викторович Рябчук, пресс-секретарь, Государственная дирекция целевой научно-технической программы, т. (495)642-00-70, доб. 1022, 8(903)217-60-95, ryabchuk1@yandex.ru, fcpir.ru/.
